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Autor Tópico: FOTOTRANSÍSTOR  (Lida 24196 vezes)

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Offline antonio_jose

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FOTOTRANSÍSTOR
« em: 19 de Julho de 2009, 05:31 »
FOTOTRANSÍSTOR


São em tudo semelhantes aos transístores bipolares convencionais, excepto pelo facto dos foto-transístores possuírem uma abertura ou janela para a incidência da luz e poderem ter ou não o terminal de base. Alguns modelos dispõem de terminal de base, o que permite um melhor controlo do dispositivo.

O foto-transístor polariza-se da mesma forma que um transístor bipolar convencional, embora agora a corrente de colector não seja controlada pela corrente de base, mas sim, pela intensidade de luz incidente na junção base – colector, polarizada inversamente.
Um foto-transístor nada mais é do que um transístor bipolar comum com as suas junções semicondutoras PNP ou NPN, porém com uma janela ou abertura no invólucro, de modo a facilitar a entrada de luz sobre a pastilha de silício. A luz vai agir sobre as junções internas do transístor, exactamente como se fosse uma corrente de base, incrementado a condução entre o colector e o emissor na razão directa da intensidade da luz. Isso quer dizer que, no seu percurso colector/emissor, um foto-transístor mantido na escuridão é como um transístor bipolar comum não polarizado. Por outro lado, com o foto-transístor sob luz forte ele age como um transístor comum com a base fortemente polarizada. Para além do processo de geração de portadores de carga eléctrica através da incidência de luz, no foto-transístor aproveitam-se as propriedades de amplificação de um transístor (assim, os foto-transístores apresentam uma grande sensibilidade em comparação com os fotodíodos).



Os foto-transístores podem utilizar encapsulamento semelhante ao dos transístores convencionais, com uma janela para a incidência da luz (Figura A) ou encapsulamento semelhante ao dos leds (Figura B), de modo que, à primeira vista, não distinguimos bem um led infravermelho de um foto-transístor.



As suas principais características são o ângulo de captação, a potência que podem dissipar (os foto-transístores são dispositivos de baixa potência), a máxima tensão colector – emissor e a corrente de colector “no escuro”, que são representadas por Vceo e Iceo respectivamente, a corrente de colector a plena luminosidade (ICA), bem como os tempos de comutação.

Exemplo: O tipo BPW42 tem:

         - Ângulo de captação de 40º
         - Potência de dissipação até 100mW
         - Vceo de 32V
         - Iceo de 0,2 ?A com Vce de 20V
         - ICA de 1 mA


Circuitos:





Fonte:
« Última modificação: 05 de Junho de 2010, 17:03 por TigPT »