Pelo que já andei a estudar em tempos, depende do tempo que demora a ligar/desligar o MOSFET, e este tempo por sua vez depende da corrente/tensão que o driver do MOSFET consegue fornecer à saída; e depende da frequência de comutação. Depois há vários caminhos, uns mais matemáticos que outros, mas eu fiquei-me por umas fórmulas semi-empiricas para obter uma estimativa, de um artigo do qual já não tenho referência. Isto ainda dá pano pa mangas (muitas não-linearidades) e eu também não estou muito dentro do assunto, mas posso dar umas luzes acerca do tempo de comutação.
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A gate do MOSFET é capacitiva, um condensador. Se quisermos fazer subir a tensão na gate de 0 até x Volt, podemos, sabendo o valor da capacidade do condensador e a tensão e corrente da fonte que usamos para carregar a gate, saber quanto tempo demora aplicando a fórmula de carga do condensador num circuito RC,
v = v0.(1 - exp(-t/(R.C)))
exp(x) é a função exponencial ou seja "e" levantado a x ("e" é designado
número de Neper, aproximadamente 2.718), R é a resistência do circuito, que equivale à resistência da fonte que está a carregar o condensador (no caso do MOSFET, o driver (da gate) do MOSFET), v0 é a tensão da fonte que ataca a gate, 't' é o tempo que passou desde que v0 foi aplicada à gate e v é a tensão no tempo 't', na prática será a tensão que queremos atingir (no mínimo Vth que é a tensão minima para o MOSFET ligar).
Como queremos saber o tempo, resolvemos a equação em ordem ao 't' e obtemos uma nova, usando agora Vdrv (tensão máxima fornecida do driver) como v0,
Vth = Vdrv - Vdrv.exp(-t/(R.C))) <=>
Vth - Vdrv = -Vdrv.exp(-t/(R.C))) <=>
Vth/Vdrv - 1 = -exp(-t/(R.C))) <=>
1 - Vth/Vdrv = exp(-t/(R.C))) <=>
-t/(R.C) = ln(1 - Vth/Vdrv) <=>
t = -R.C.ln(1 - Vth/Vdrv)
Sabendo a resistência interna da fonte "driver" e a capacidade da gate do MOSFET podemos agora calcular o tempo de comutação (ou melhor, o tempo que demora a tensão na gate a ir de 0 à tensão da fonte).
No entanto, a capacidade da gate não é fixa. Esta questão torna o cálculo muito dificil e não nos deixa usar a equação acima, por isso arranjou-se uma "artimanha" que é usar a carga (em Coulombs) necessária para carregar o condensador até uma tensão X em vez da sua capacidade. Daí que os fabricantes também especificam nas datasheets este valor, designado "Gate charge", em nano-Coulombs (nC). A carga Q do condensador é dada por
Q = C.V (capacidade vezes tensão)
e podemos resolver isto em ordem a C obtendo
C = Q / Vth (queremos a gate no mínimo com a tensão de threshold)
Agora substituindo o C na equação da carga do condensador em ordem ao tempo temos
t = -R.(Q/Vth).ln(1 - Vth/Vdrv)e com esta equação temos uma estimativa (apenas estimativa porque há aqui pelo meio muitas aproximações para tornar as contas mais simples, utilizáveis na prática) do tempo que um MOSFET leva para comutar entre ligado/desligado sabendo-se a Gate Charge e a resistência interna do driver que ataca o MOSFET. O cálculo é para o tempo de ligar mas simplifica-se assumindo que o tempo para desligar é similar.
Depois houve um tipo que pensou, e muito bem, que se dissermos que queremos saber quanto tempo leva a tensão a chegar, não a Vth mas a 99% de Vdrv (porque é mesmo para lá que a gate do MOSFET vai, para Vdrv), chegamos a uma equação aproximada mais simples,
t ~ 4,6.R.Q/Vdrv Ufa
!... Faz-me bem re-lembrar esta coisas
p.s. Vê este artigo aqui: A simple guide to selecting power MOSFETs-----------------
Já agora, como é que mediste os 3A? Que carga tinhas? Qual a frequência do PWM?
Terás de usar transistores feitos para fontes smps(chaveadas em portugues/brasileiro),
"Chaveadas" em pt-br, "comutadas" em pt-pt.